Голландский технологический гигант ASML, занимающий монопольное положение на рынке оборудования для литографии в глубоком ультрафиолете, объявил о значительном технологическом прорыве. Инженерам компании удалось увеличить мощность источника света в EUV-установках до 1000 Вт, что в ближайшие годы радикально изменит темпы производства полупроводников. Данное обновление направлено на удовлетворение растущего спроса на высокопроизводительные процессоры и микросхемы памяти.
Технологические детали модернизации
Достигнутый прогресс стал возможен благодаря комплексной оптимизации системы генерации излучения. Предыдущий показатель мощности составлял 600 Вт, и его увеличение до киловаттного рубежа потребовало пересмотра ключевых физических процессов внутри сканера.
- Удвоение количества капель расплавленного олова, подаваемых в систему за единицу времени.
- Глубокая оптимизация алгоритмов формирования лазерных импульсов для более эффективного воздействия на мишени.
- Снижение энергетических потерь при преобразовании лазерного излучения в экстремальный ультрафиолет.
EUV-литография остается критически важным процессом для создания чипов по техпроцессам 5 нм, 3 нм и ниже, так как позволяет формировать на кремнии транзисторные структуры нанометрового масштаба.
Повышение производительности и дорожная карта до 2030 года
Согласно официальному заявлению представителей ASML, внедрение новых мощностей позволит к 2030 году повысить эффективность работы каждой установки на 50%. На текущий момент современные EUV-системы способны обрабатывать около 220 кремниевых пластин в час. Ожидается, что переход на новые источники света увеличит этот показатель до 330 пластин в час.
В перспективе мощность источника света может достигнуть 2000 Вт, что открывает еще более широкие возможности для масштабирования производства полупроводников, — сообщает агентство Reuters со ссылкой на данные компании.
Развитие технологии мощных источников света не только ускоряет выпуск продукции, но и потенциально снижает себестоимость отдельного кристалла за счет сокращения времени экспонирования. Это решение станет фундаментом для следующего поколения литографических машин, обеспечивая стабильное развитие индустрии в условиях усложнения архитектуры процессоров.