Японская корпорация Kioxia Holdings Corporation приступила к поставкам опытных образцов инновационной флэш-памяти, разработанной специально для оптимизации работы инфраструктуры искусственного интеллекта. Новые высокоплотные чипы призваны решить проблему растущих объемов данных в современных дата-центрах, предлагая рынку сочетание повышенной емкости и улучшенной энергоэффективности.
Технологические особенности 332-слойной архитектуры
Ключевым достижением инженеров стала 332-слойная структура 3D NAND, которая позволяет существенно увеличить объем хранимой информации на одной кремниевой пластине. Данное решение ориентировано на корпоративный сегмент, где критически важна плотность размещения данных в серверных стойках. Помимо физического увеличения объема, новые чипы обеспечивают:
- Значительное ускорение скорости передачи данных для обработки сложных ИИ-моделей;
- Снижение удельного энергопотребления на терабайт емкости;
- Повышенную отказоустойчивость при интенсивных нагрузках на запись и чтение.
Разработка данных решений стала ответом на дефицит высокоскоростных хранилищ, возникший на фоне глобального бума генеративного ИИ и нейросетевых вычислений.
Запуск производства на заводе Kitakami
Массовое производство новых компонентов будет развернуто на мощностях завода Kitakami в префектуре Иватэ. На предприятии подготовлена специализированная производственная линия, которая позволит одновременно выпускать как текущее девятое поколение флэш-памяти, так и новейшее десятое поколение. Ожидается, что интеграция этих чипов в состав твердотельных накопителей (SSD) для дата-центров начнется в ближайшее время после завершения этапа тестирования ключевыми клиентами.
Новый продукт для хранения данных будет установлен в твердотельных накопителях компании для дата-центров, производство которых обеспечит необходимую масштабируемость для ИИ-вычислений.
Внедрение 332-слойных чипов от Kioxia может стать важным этапом в эволюции систем хранения данных, позволяя операторам ЦОД эффективнее справляться с нагрузками будущего. Учитывая текущую дату 5 июля 2026 года, выход компании на этап тестирования образцов подтверждает её стремление удержать лидерство в технологической гонке производителей полупроводников.