Ведущие южнокорейские производители памяти, Samsung Electronics и SK Hynix, объявили о повышении цен на пятое поколение памяти с высокой пропускной способностью (HBM3E) почти на 20% для поставок в 2026 году. Это решение вызвано резким ростом спроса на ускорители для искусственного интеллекта, который значительно опережает предложение на рынке.
Причины роста цен на HBM3E
Основной причиной повышения стоимости стал дисбаланс спроса и предложения. С одной стороны, производители памяти активно инвестируют в производственные мощности для следующего, шестого поколения HBM (HBM4), ожидая скачка спроса на него в ближайшие годы. Это приводит к сокращению доступных мощностей для производства текущего стандарта — HBM3E. С другой стороны, спрос на HBM3E продолжает расти. Помимо Nvidia, значительно увеличили свои заказы такие технологические гиганты, как Google и Amazon, которые разрабатывают собственные ИИ-ускорители.
Необычность ситуации заключается в том, что цены на предыдущее поколение памяти обычно снижаются в преддверии выхода нового. Однако в данном случае наблюдается обратная тенденция.
Спрос на HBM3E также подогревается разрешением на экспорт в Китай ИИ-чипов Nvidia H200, каждый из которых оснащен шестью модулями HBM3E. Кроме того, новые ускорители от Google и Amazon, выпуск которых запланирован на 2026 год, также будут использовать HBM3E, что еще больше увеличивает нагрузку на поставщиков.
Влияние на рынок и перспективы
Рост цен на память HBM3E является частью более широкой тенденции на рынке полупроводников, где наблюдается беспрецедентный дефицит чипов памяти, который, по прогнозам, может продлиться до 2027 года. Производители перераспределяют свои ресурсы в пользу более прибыльных компонентов для корпоративного сектора и ИИ, что создает дефицит и рост цен на память для потребительской электроники, такой как смартфоны и ПК.
- Стратегический сдвиг: Производители, такие как Micron, Samsung и SK Hynix, переориентируют производство на высокодоходную память для ИИ-центров обработки данных.
- Дефицит для потребителей: Перераспределение мощностей приводит к нехватке и удорожанию стандартной памяти DRAM и NAND, используемой в массовых устройствах.
- Долгосрочные последствия: Аналитики предупреждают, что высокие цены на память и ограниченное предложение могут сохраниться до 2027-2028 годов, когда будут введены в строй новые производственные мощности.
Ожидается, что рынок памяти с высокой пропускной способностью будет демонстрировать значительный рост. По некоторым прогнозам, его объем может достичь 100 миллиардов долларов к 2028 году. Уже сейчас Micron сообщает, что вся их продукция HBM на 2026 год, включая HBM4, полностью распродана.
В то время как производители готовятся к массовому производству HBM4, которое, как ожидается, начнется в 2026 году, текущий спрос на HBM3E остается исключительно высоким. Этот фактор, в сочетании с ограниченными производственными мощностями, и привел к нынешнему росту цен, подтверждая стратегическую важность HBM-памяти в эпоху искусственного интеллекта.