Южнокорейские технологические гиганты SK Hynix и Samsung Electronics официально объявили об ускорении темпов коммерциализации инновационной технологии High Bandwidth Flash (HBF). Разработка новой архитектуры памяти призвана удовлетворить растущий спрос на высокопроизводительные решения в сфере обработки данных и искусственного интеллекта.
Технические особенности и партнерство с SanDisk
Технология HBF базируется на архитектурных принципах, схожих с высокопроизводительной памятью HBM (High Bandwidth Memory). В основе лежит вертикальное стекирование слоев NAND флеш-памяти, что позволяет значительно увеличить пропускную способность и плотность хранения данных.
- SK Hynix ведет активную разработку совместно с SanDisk для создания единого индустриального стандарта.
- Первые тестовые образцы, получившие название HBF1, ожидаются уже в течение 2026 года.
- Для производства первых прототипов будет использована прогрессивная 16-слойная NAND флеш-память.
Перспективы внедрения в экосистемы ИИ
По оценкам экспертного сообщества, внедрение HBF станет следующим важным этапом развития серверных систем. Профессор Ким Чон Хо из Корейского института науки и технологий (KAIST) отмечает, что основные игроки рынка уже наметили дорожные карты по интеграции этой памяти в свои продукты.
Samsung Electronics и SanDisk намерены внедрить технологию HBF в продукты Nvidia, AMD и Google в конце 2027 или начале 2028 года
Ожидается, что такая интеграция позволит оптимизировать работу облачных вычислений и ускорить обучение крупномасштабных нейросетей за счет сокращения задержек при доступе к данным.
Развитие технологии HBF подтверждает стремление крупнейших производителей чипов перейти от количественного наращивания объемов памяти к качественному изменению её пропускной способности. В условиях дефицита эффективных решений для AI-инфраструктуры, успех коммерциализации High Bandwidth Flash может переопределить стандарты хранения данных в индустрии на ближайшее десятилетие.