Южнокорейская компания Samsung Electronics официально анонсировала мобильные накопители нового поколения Universal Flash Storage (UFS) 5.0. Новое решение разработано с учетом растущих требований современных технологий искусственного интеллекта и ориентировано на использование в флагманских смартфонах, устройствах дополненной реальности (XR) и носимых гаджетах. Начало массового производства чипов памяти запланировано на четвертый квартал 2026 года, а максимальная емкость одного модуля составит 1 ТБ.
Вдвое быстрее предшественников
В основе новейшего стандарта UFS 5.0 лежит прогрессивная 9-я генерация фирменной флеш-памяти V-NAND (V9) от Samsung. Инженерам компании удалось добиться существенного прорыва в пропускной способности интерфейса. Скорость последовательного чтения достигает 10,8 ГБ/с, а скорость последовательной записи составляет 9,5 ГБ/с.
Для сравнения: эти показатели более чем в два раза превышают скоростные лимиты памяти актуального стандарта UFS 4.1. Подобная производительность необходима для мгновенной передачи данных в оперативную память (DRAM), что позволяет центральным процессорам смартфонов обрабатывать информацию без задержек.
Оптимизация энергопотребления и компактный размер
Несмотря на кратный прирост мощности, новое поколение модулей памяти демонстрирует высокую экономичность. По заявлениям производителя, энергоэффективность увеличилась более чем на 40% по сравнению с прошлым поколением. Данного результата удалось достичь благодаря интеграции двух низкоэнергетических оптимизационных технологий:
- Clock gating — методика, автоматически отключающая тактовые сигналы на неиспользуемых в данный момент участках микросхемы;
- Multi-voltage — система динамического распределения оптимального уровня напряжения для каждого отдельного блока цепи, снижающая выделение тепла.
Физические габариты чипа составляют 7,5 мм в ширину, 13 мм в длину и всего 0,9 мм в высоту. Накопитель стал на 16,7% компактнее предшественника, что предоставляет производителям электроники больше свободы при компоновке внутренних элементов мобильных гаджетов.
Ключевой элемент для On-Device AI
Разработчики подчеркивают, что ключевое назначение UFS 5.0 заключается в поддержке локальных нейросетей, работающих непосредственно на клиентских устройствах без обращения к облачным серверам. Представители руководства компании так прокомментировали запуск новой технологической платформы:
«В эпоху локального искусственного интеллекта (on-device AI) встроенные накопители перерастают роль обычного хранилища данных и становятся критически важным фактором, определяющим пользовательский опыт. Завершив разработку UFS 5.0, Samsung устанавливает новый стандарт для мобильной индустрии» — отметил Чой Джанг-сок, глава группы планирования продуктов подразделения Memory Business в Samsung Electronics.
Новый тип памяти призван радикально сократить время отклика голосовых ассистентов, ускорить запуск ресурсоемких приложений и обеспечить бесперебойную запись видео сверхвысокого разрешения. По прогнозам экспертов рынка, первыми коммерческими смартфонами с поддержкой UFS 5.0 станут премиальные устройства следующего поколения, анонс которых ожидается в начале 2027 года.