Компания SanDisk представила инновационный метод 3D-стекирования флэш-памяти, который предполагает интеграцию чипов NAND непосредственно под основным вычислительным кристаллом, таким как графический процессор (GPU) или специализированный ускоритель для искусственного интеллекта. Новая технология направлена на радикальное повышение эффективности передачи данных и решение актуальных проблем с дефицитом высокопроизводительной памяти в сегменте высокопроизводительных вычислений.
Технология CBA: синергия HBM и NAND
Предложенный метод, получивший обозначение CBA (Complementary Bonding Alignment), предусматривает размещение стеков высокоскоростной памяти HBM на том же промежуточном слое, что и массив NAND. Такая архитектура позволяет организовать гибридную систему хранения:
- HBM берет на себя задачи, требующие мгновенного отклика и сверхвысокой пропускной способности;
- NAND-память используется для операций чтения/записи и хранения крупномасштабных языковых моделей;
- Интеграция под вычислительный чип минимизирует задержки при обмене данными между компонентами.
Подобный подход позволяет объединить сильные стороны обоих типов памяти: высокую скорость HBM и значительную емкость традиционной NAND-памяти, что ранее было затруднено из-за физических ограничений компоновки.
Экономические и технические преимущества
Внедрение 3D-стекирования напрямую влияет на энергопотребление и себестоимость конечных систем. По данным издания Kechuangban Ribao, новая топология чипов способна смягчить текущие проблемы с поставками HBM, расширяя доступную емкость памяти без пропорционального увеличения затрат на производство.
Технология CBA призвана объединить пропускную способность HBM с плотностью NAND, оптимизируя передачу данных и снижая общие эксплуатационные расходы на инфраструктуру ИИ.
Интеграция памяти непосредственно в вычислительный стек также способствует снижению тепловыделения за счет сокращения длины проводящих путей, что критически важно для серверных решений мощностью в сотни ватт.
Реализация данного патента может стать важным этапом в развитии аппаратного обеспечения для машинного обучения. Если SanDisk удастся успешно масштабировать технологию гибридного стекирования, это позволит создавать более компактные и эффективные ускорители, способные обрабатывать терабайтные наборы данных без обращения к внешним накопителям, что существенно ускорит обучение и работу нейросетей нового поколения.