Samsung представила V10 BV-NAND с 400 слоями и память для ИИ
На ежегодной конференции Future of Memory and Storage (FMS) компания Samsung Electronics официально представила обновленную дорожную карту развития технологий хранения данных, полностью адаптированную под нужды инфраструктуры искусственного интеллект...