Южнокорейский технологический гигант Samsung Electronics официально объявил о начале массового производства шестого поколения памяти с высокой пропускной способностью — HBM4. Став первым в мире производителем, перешедшим к серийному выпуску данного стандарта, компания опередила первоначальный график на одну неделю. Ускорение темпов вывода продукции на рынок стало возможным благодаря тесному сотрудничеству с ключевыми партнерами в сегменте высокопроизводительных вычислений и искусственного интеллекта.
Технологические преимущества и характеристики HBM4
Новое поколение памяти демонстрирует значительный прирост производительности по сравнению с предшествующими решениями. Согласно официальным спецификациям, скорость передачи данных в чипах Samsung достигает 11,7 Гбит/с, что существенно превышает базовый стандарт Ассоциации твердотельных технологий (JEDEC), установленный на отметке 8 Гбит/с.
Ключевые технические достижения включают:
- Пропускная способность одного стека составляет 3 ТБ/с, что в 1,4 раза выше показателей предыдущего поколения.
- Применение 12-слойной технологии стекирования позволило достичь емкости в 36 ГБ на один модуль.
- Оптимизация энергопотребления и тепловыделения для работы в составе серверных систем нового поколения.
Стоит отметить, что столь высокие показатели пропускной способности критически важны для обучения крупномасштабных языковых моделей и работы современных графических ускорителей.
Влияние на рынок полупроводников
Запуск массового производства HBM4 закрепляет за Samsung лидирующие позиции в технологической гонке.
Samsung стала первой компанией в мире, которая приступила к массовому производству HBM4, подтвердив готовность удовлетворить растущий спрос на специализированные решения для ИИ, — отмечают отраслевые эксперты.
Ранний старт производства, произошедший в первой половине февраля 2026 года, позволяет компании предложить готовые компоненты для следующего цикла обновления серверного оборудования мировых техгигантов.
Начало поставок HBM4 знаменует собой важный этап в развитии инфраструктуры для обработки больших данных. Ожидается, что внедрение модулей емкостью 36 ГБ позволит создавать более компактные и при этом мощные вычислительные узлы, снижая общую стоимость владения (TCO) для операторов центров обработки данных. В долгосрочной перспективе успех этого поколения памяти станет фундаментом для дальнейшего развития экосистемы высокопроизводительных вычислений.