Ученые из Корейского научно-исследовательского института промышленной технологии совместно с коллегами из Университета POSTECH представили инновационную технологию производства полупроводников, позволяющую объединять более десяти ультратонких слоев в единый стек. Новый метод четырехкратного увеличения плотности интеграции открывает перспективы для создания сверхмощных модулей памяти следующего поколения, значительно превосходящих текущие стандарты высокопроизводительных запоминающих устройств (HBM).
Преодоление физических ограничений при укладке чипов
Современная микроэлектроника стремится к минимизации размеров компонентов, однако работа с ультратонкими микросхемами толщиной в несколько десятков микрон сопряжена с серьезными инженерными вызовами. При традиционных методах сборки такие тонкие пластины подвержены механическим повреждениям и деформации. Южнокорейские исследователи смогли решить проблему уязвимости материалов за счет интеграции двух ключевых подходов:
- Использование технологии переносной печати для деликатного перемещения чипов.
- Применение метода самопроизвольной адгезии для фиксации слоев без риска повреждения.
- Создание единой платформы для параллельного размещения и формирования соединений.
Единый технологический цикл и его эффективность
Ключевым достижением команды стало объединение процессов переноса, точного позиционирования и создания электрических соединений в единый непрерывный цикл. Это не только минимизирует риск возникновения брака в виде изгибов или разрывов полупроводниковых структур, но и существенно ускоряет производство. Согласно данным, опубликованным в научном журнале Engineering Achievements, новая архитектура позволяет достичь плотности, которая была недоступна при использовании стандартных коммерческих технологий.
Интегрированный метод позволяет осуществлять перенос, размещение и электрическое соединение микросхем в едином непрерывном процессе, устраняя риск коробления или разрыва тонких слоев.
Разработанная технология создает фундамент для развития более производительных систем искусственного интеллекта и серверных решений. Ожидается, что возможность укладывать более 10 слоев без потери структурной целостности станет новым стандартом в индустрии, обеспечивая существенный прирост емкости накопителей при сохранении их компактных габаритов. Это достижение подтверждает лидерство Южной Кореи в секторе высокотехнологичного производства полупроводников.